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SUD50N04-09H
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless noted
100
80
60
40
20
0
V GS = 10 thru 7 V
6V
100
80
60
40
20
0
T C = 125 °C
25 °C
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
120
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
T C = - 55 °C
0.016
0.014
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
25 °C
0.012
80
125 °C
0.010
60
40
0.008
0.006
V GS = 10 V
0.004
20
0.002
0
0.000
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
5000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transconductance
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
4000
3000
2000
1000
C oss
C iss
16
12
8
4
V DS = 20 V
I D = 50 A
C rss
0
0
0
8
16
24
32
40
0
20
40
60
80
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 72669
S-71661-Rev. E, 06-Aug-07
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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